性能指标里，最重要的就是载流子迁移率。
锗碳纳米管的载流子迁移率达到了惊人的cm2\/(V·s)。
而单纯的碳纳米管，其载流子迁移率则只有cm2\/(V·s)。
硅材料芯片的载流子迁移率只有1350cm2\/(V·s)。
太阳能发电板空穴的载流子迁移率仅为480cm2\/(V·s)。
光从以上几个数据就可以清晰看出，锗碳纳米管的半导体性能有多么强了。
是硅芯片的222倍以上！
并且比单纯的碳纳米管的性能也要强上不少。
最关键的就是碳纳米管很难实现半导体的局部通断电能力，它只能全部通电，或者全部断电，就好似一根性能优越的铜电线。
没办法实现硅芯片里无数晶体管里的与逻辑和或逻辑，非逻辑能力。
正如之前所说的那样，碳芯片想要研制出来的难度就在这里。
但这锗碳纳米管就不一样了，其可以在外部电场的影响下实现这一点。
可以这么说，这一批锗碳纳米管研制出来之后，就等于整个项目走出了第一步，算是阶段性的胜利。
因而当晚，赵小侯就带着实验室众人直奔2号小校门外的一家海鲜酒楼，痛痛快快的吃了一顿大餐，以示庆祝。
不得不说，赵小侯算是无师自通，将人心掌握明白了。
不管这些人是不是真心愿意在实验室里继续干下去，但有点成果，就带着大家大吃大喝，还时不时发点奖金的boSS，肯定是受人喜欢的。
这次的成功的确算是个小胜利了。
赵小侯和大家吃喝一番，回到宿舍之后，就花费了半个小时，撰写了一篇论文。
当然，这篇论文，赵小侯并不打算立即发表出去就是了。
毕竟这也算得上是材料学术界里程碑式的学术成果了。